Генерация второй гармоники и нелинейное электроотражение на поверхности центросимметричных полупроводников

Представлена теория ГВГ при отражении от поверхности центросимметричных полупроводников, в которой учтены поглощение излучения накачки и второй гармоники в полупроводнике, а также модуляция нелинейно-оптических свойств приповерхностного слоя полупроводника электростатическим полем (нелинейное электроотражение). Для учета последнего фактора использована экспоненциальная апроксимация распределения модулирующего поля в среде. Получены выражения, описывающие зависимость интенсивности второй гармоники и коэффициента нелинейного электроотражения от поверхностного потенциала полупроводника. Показано, что вид этих зависимостей определяется соотношением характерных глубин проникновения накачки, второй гармоники и модулирующего поля в нелинейную среду. Предложен метод определения потенциала плоских зон.