|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 12, страницы 1195–1198
(Mi qe555)
|
|
|
|
Активные среды
Образование отрицательных ионов в газовых смесях активного элемента XeCl-лазера
А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон, В. М. Добош, Б. Я. Хомяк Ужгородский государственный университет
Аннотация:
Исследовано образование отрицательных ионов в газовых смесях HCl(BCl3)–Xe–He, применяемых в активных элементах XeCl-лазера. Обнаружено, что константы скоростей образования отрицательных ионов в смесях с хлоридом бора в 2.5 раза превышают таковые в смесях с хлористым водородом, составляя (5.8–2.0)·10–10 см3/с при изменении параметра E/N от 2·10-17 до 4·10-16 В·см2. Высказано предположение о дополнительных процессах образования отрицательных ионов в смесях с BCl3.
Поступила в редакцию: 05.07.1995
Образец цитирования:
А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон, В. М. Добош, Б. Я. Хомяк, “Образование отрицательных ионов в газовых смесях активного элемента XeCl-лазера”, Квантовая электроника, 22:12 (1995), 1195–1198 [Quantum Electron., 25:12 (1995), 1158–1161]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe555 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i12/p1195
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 123 | PDF полного текста: | 86 |
|