Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ : V3+

Исследованы поляризационные характеристики нелинейного поглощения излучения с λ = 1.055 мкм в кристалле ИАГ:V³⁺ на стадии насыщения в случае, когда длительность распространяющегося в кристалле импульса значительно меньше времени жизни возбужденного состояния примесных центров V³⁺. Сопоставление данных эксперимента и теоретического расчета показало, что экспериментальные данные наиболее хорошо описываются феноменологической моделью, в которой резонансное поглощение в кристалле происходит за счет трех линейных диполей, ориентированных вдоль главных кристаллографических осей кристалла ИАГ.