|
Квантовая электроника, 1973, номер 4(16), страницы 125–127
(Mi qe5524)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Краткие сообщения
Накачка ядерных уровней рентгеновским излучением лазерной плазмы
В. С. Летохов
Аннотация:
Рассмотрена возможность возбуждения низколежащих уровней ядер импульсом рентгеновского излучения высокотемпературной лазерной плазмы по двух- и трехуровневой схемам. Показана принципиальная возможность получения интенсивных узких линий γ-излучения ядер без отдачи, а также инверсии населенности возбужденных ядерных уровней.
Поступила в редакцию: 27.09.1972 Исправленный вариант: 14.05.1973
Образец цитирования:
В. С. Летохов, “Накачка ядерных уровней рентгеновским излучением лазерной плазмы”, Квантовая электроника, 4 (1973), 125–127 [Sov J Quantum Electron, 3:4 (1974), 360–361]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5524 https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i4/p125
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 93 | PDF полного текста: | 51 |
|