Импульсный отклик фотодиодных структур Ga0.47In0.53As с субмикронным зазором между электродами встречно-штыревой системы контактов

Установлено, что явления, возникающие вследствие миниатюризации оптоэлектронных устройств, делают неэффективными простые методы масштабного уменьшения размеров приборов. В рамках двумерной модели показано, что основная проблема в диодных структурах типа металл–полупроводник–металл (МПМ) с малым межэлектродным зазором – малая глубина проникновения электрического поля в активную область диода – приводит к различным скоростям собирания электронов и дырок на контактах и к замедленному импульсному отклику фотодетектора. На основе самосогласованного двумерного рассмотрения движения фотогенерированных носителей заряда в активном объеме диодной МПМ-структуры исследуются характеристики импульсного отклика МПМ-фотодиодов на основе GaInAs и обсуждаются пути их улучшения. Результаты расчетов сравниваются с экспериментом.