Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 8, страницы 1681–1683 (Mi qe5397)  

Краткие сообщения

О влиянии наведенного поглощения в материале отражателя на КПД твердотельных лазеров

С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, А. М. Сергеев, Г. Н. Торопкин
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования влияния наведенного поглощения в материале кварцевого отражателя на КПД твердотельного лазера. Показано хорошее совпадение экспериментальных и рассчитанных методов Монте-Карло на ЭВМ оценок относительного изменения лазерного КПД.
Поступила в редакцию: 26.12.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 8, Pages 1133–1134
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n08ABEH005397
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 555.34:621.378
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Lh, 42.50.Gy, 02.50.Ng


Образец цитирования: С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, А. М. Сергеев, Г. Н. Торопкин, “О влиянии наведенного поглощения в материале отражателя на КПД твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1681–1683 [Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1133–1134]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5397
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i8/p1681
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025