К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки

В предположении, что скольжение дислокаций тормозится центрами закрепления (ЦЗ), рассмотрено влияние избыточных носителей тока на их преодоление при захвате на дислокацию вблизи ЦЗ или на него. В качестве механизма захвата рассмотрен резонансный дефектообразующий захват электрона. Показано, что в докритическом по концентрации избыточных носителей режиме дислокация движется, поочередно отрываясь от ЦЗ, а по достижении критической накачки происходит резкое увеличение скорости до уровня беспрепятственного движения.