|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 201–204
(Mi qe5370)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Е. В. Невструева, В. Ф. Певцов, Ю. В. Петрушенко, С. С. Стрельченко, В. Н. Цвентух Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва
Аннотация:
Рассмотрено влияние на излучательные характеристики твердых растворов Ga0,68Al0,32As легирования теллуром в интервале от 5·1016 до 1·1018 см–3 или цинком в интервале от 4·1017 до 1·1019 см–3. Интенсивность катодалюминесценции и пороговая
плотность тока лазера с накачкой электронным пучком резко ухудшались в образцах, легированных теллуром выше 3·1017 см–3. Это объясняется наличием канала безызлучательной рекомбинации, в котором участвует примесный уровень (или зона), связанный с непрямым L – минимумом зоны проводимости. В образцах, легированных цинком, интенсивность катодолюминесценции и пороговая плотность тока лазера практически не зависели от концентрации легирующей примеси. Эти образцы обладали более низкой пороговой плотностью тока (50 мА/см2 при T = 90 K и 0.9 мА/см2 при T = 300 K), чем образцы n-типа проводимости.
Поступила в редакцию: 19.05.1980
Образец цитирования:
О. В. Богданкевич, С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Е. В. Невструева, В. Ф. Певцов, Ю. В. Петрушенко, С. С. Стрельченко, В. Н. Цвентух, “Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 201–204 [Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 119–121]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5370 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i1/p201
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 59 |
|