Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 185–188 (Mi qe5356)  
Краткие сообщения

Полупроводниковый лазер с переходами между магнитоакустическими подзонами

А. Г. Алексанян, Г. П. Бояхчян

Институт радиофизики и электроники АН АрмССР, Аштарак
PDF полного текста (549 kB)
Аннотация: Рассчитаны пороговые характеристики полупроводникового лазера на магнитоакустических переходах. Получены зависимости пороговой концентрации электронов от температуры при различных значениях амплитуды и частоты ультразвука, а также толщины образца.
Поступила в редакцию: 08.04.1980
Исправленный вариант: 17.06.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, Volume 11, Issue 1, Pages 108–109
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1981v011n01ABEH005356
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px


Образец цитирования: А. Г. Алексанян, Г. П. Бояхчян, “Полупроводниковый лазер с переходами между магнитоакустическими подзонами”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 185–188 [Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 108–109]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5356
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i1/p185
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025