|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 77–82
(Mi qe5312)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Использование разряда по поверхности диэлектрика для предыонизации в эксимерных лазерах
В. Ю. Баранов, В. М. Борисов, А. М. Давидовский, О. Б. Христофоров Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва
Аннотация:
Найдены условия получения высокой однородности сильноточного разряда по поверхности плоского диэлектрика, являющегося мощным источником УФ излучения, создающего высокий уровень предварительной ионизации в основном разрядном объеме. Объемный разряд был получен при апертуре до 30 см2 и межэлектродных расстояниях до 10 см. Экспериментально показано, что для достижения высокой эффективности лазера вводимая во вспомогательный разряд энергия должна иметь определенное оптимальное
значение. В лазере достигнут уровень генерации 1 Дж при удельном энергосъеме 5,8 Дж/л. При уровне генерации 0,7 Дж полный КПД лазера составил 1,5 %.
Поступила в редакцию: 20.05.1980
Образец цитирования:
В. Ю. Баранов, В. М. Борисов, А. М. Давидовский, О. Б. Христофоров, “Использование разряда по поверхности диэлектрика для предыонизации в эксимерных лазерах”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 77–82 [Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 42–45]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5312 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i1/p77
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 195 | PDF полного текста: | 166 |
|