|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1393–1403
(Mi qe5281)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Механизм образования ионов при облучении поверхности молекулярных кристаллов импульсным лазерным излучением
С. Е. Егоров, В. С. Летохов, А. Н. Шибанов Институт спектроскопии АН СССР Моск. обл., г. Троицк
Аннотация:
Исследуется процесс образования ионов при облучении молекулярных кристаллов УФ лазерными импульсами умеренной интенсивности. Рассматривается образование ионов как собственных молекул кристаллов, так и молекул, адсорбированных на поверхности. Показано, что механизм этого процесса следующий: импульс лазерного излучения слегка нагревает поверхность, что приводит к увеличению скорости испарения молекул в течение лазерного импульса; покинувшие поверхность свободные молекулы ионизируются над поверхностью через промежуточное электронное состояние тем же импульсом излучения. Приводятся результаты расчетов, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными. Предложен метод существенного повышения чувствительности фотоионизационного детектирования молекул за счет адсорбции на поверхности и импульсной десорбции.
Поступила в редакцию: 03.10.1983
Образец цитирования:
С. Е. Егоров, В. С. Летохов, А. Н. Шибанов, “Механизм образования ионов при облучении поверхности молекулярных кристаллов импульсным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 11:7 (1984), 1393–1403 [Sov J Quantum Electron, 14:7 (1984), 940–946]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5281 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i7/p1393
|
|