Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 7, страницы 1364–1367 (Mi qe5276)  

Исследование инверсной населенности уровней иона OVII

В. В. Корухов, Н. Г. Никулин, Б. И. Трошин

Институт теплофизики СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация: Экспериментально исследованы оптические характеристики плазмы, образующейся при облучении мишени из Al2O3 в вакууме мощным излучением неодимового лазера. Показано, что для гелиеподобного иона кислорода на переходе с главными квантовыми числами n = 4→n = 3 за счет рекомбинационного механизма заселения уровней можно получить коэффициент усиления ~10–2 см–1.
Поступила в редакцию: 20.09.1983
Исправленный вариант: 19.01.1984
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 7, Pages 921–923
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n07ABEH005276
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 633.8.16
PACS: 52.50.Jm, 52.25.-b


Образец цитирования: В. В. Корухов, Н. Г. Никулин, Б. И. Трошин, “Исследование инверсной населенности уровней иона OVII”, Квантовая электроника, 11:7 (1984), 1364–1367 [Sov J Quantum Electron, 14:7 (1984), 921–923]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5276
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i7/p1364
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024