|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1264–1267
(Mi qe5228)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Определение параметров инжекционных лазерных усилителей на основе GaAlAs-гетероструктур по характеристикам суперлюминесцентного излучения
И. С. Голдобин, А. Т. Семенов, В. П. Табунов, С. Д. Якубович Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Модифицированная методика определения усилительных характеристик активных сред по зависимости спектра усиленного спонтанного излучения (суперлюминесценции) от геометрии активной области применена к полосковым гетеролазерам без обратной связи. Получены спектральные зависимости основных параметров лазерных усилителей (ЛУ): коэффициента усиления чувствительности и
динамического диапазона линейного режима усиления для узкополосного входного сигнала. Показано, что по этим параметрам гетероусилители практически не уступают ЛУ на основе гомоструктур, работающим при криогенных температурах.
Поступила в редакцию: 23.08.1981
Образец цитирования:
И. С. Голдобин, А. Т. Семенов, В. П. Табунов, С. Д. Якубович, “Определение параметров инжекционных лазерных усилителей на основе GaAlAs-гетероструктур по характеристикам суперлюминесцентного излучения”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1264–1267 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 800–802]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5228 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1264
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 108 | PDF полного текста: | 67 | Первая страница: | 1 |
|