Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1258–1261 (Mi qe5224)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Краткие сообщения

О взаимодействии и конкуренции прямого и обратного рассеяний при ВКР

Ю. Е. Дьяков, С. Ю. Никитин

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Теоретически исследован режим ВКР, при котором накачка рассеивается преимущественно назад, обусловленный влиянием осевой антистоксовой компоненты, обсуждается возможность его реализации.
Поступила в редакцию: 05.08.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 6, Pages 796–798
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n06ABEH005224
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375
PACS: 42.65.Cq


Образец цитирования: Ю. Е. Дьяков, С. Ю. Никитин, “О взаимодействии и конкуренции прямого и обратного рассеяний при ВКР”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1258–1261 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 796–798]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5224
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1258
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:63
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024