|
Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 1, страницы 170–171
(Mi qe5208)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP
Д. Ахмедов, В. П. Дураев, Е. В. Голикова, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация:
Получена генерация когерентного излучения в непрерывном режиме при 300 K в полосковых и мезаполосковых лазерах на основе гетероструктур InGaAsP/InP в коротковолновой области (1,068–1,085 мкм). Пороговые токи составляли 140–220 мА. Изучены излучательные характеристики двусторонних гетероструктур лазеров коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/ InP.
Поступила в редакцию: 02.04.1985
Образец цитирования:
Д. Ахмедов, В. П. Дураев, Е. В. Голикова, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:1 (1986), 170–171 [Sov J Quantum Electron, 16:1 (1986), 108–109]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5208 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v13/i1/p170
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 113 | PDF полного текста: | 63 | Первая страница: | 1 |
|