| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Gaxln1–xAsySb1–y, полученных лазерным напылением К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян Институт радиотехники и электроники АН АрмССР, Аштарак
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 6, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n06ABEH005192 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян, “Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Gaxln1–xAsySb1–y, полученных лазерным напылением”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|