|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 6, страницы 1264–1266
(Mi qe5192)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Gaxln1–xAsySb1–y, полученных лазерным напылением
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян Институт радиотехники и электроники АН АрмССР, Аштарак
Аннотация:
Показано, что периодическая структура InSb–GaAs обладает свойством одиночной размерно-квантовой пленки InSb. В пленке Gaxln1–xAsySb1–y впервые обнаружен квантовый размерный эффект.
Поступила в редакцию: 12.11.1983
Образец цитирования:
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян, “Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Gaxln1–xAsySb1–y, полученных лазерным напылением”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1264–1266 [Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 854–655]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5192 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i6/p1264
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 115 | PDF полного текста: | 61 | Первая страница: | 1 |
|