Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1185–1193 (Mi qe5166)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние продольной неоднородности показателя преломления нелинейного кристалла на коэффициент параметрического усиления

И. Я. Ицхоки, М. А. Кашинцев, Б. Г. Лысой, А. А. Соловьев
Аннотация: Теоретически исследовано влияние продольной оптической неоднородности нелинейного кристалла на величину и спектр коэффициента параметрического уситления (КПУ), численно рассчитан КПУ при произвольных параметрах неоднородности. Для двух наиболее характерных случаев малой неоднородности (линейной и ступенчатой) нелинейных кристаллов LiNbO3 получена аналитическая зависимость КПУ от параметра неоднородности. Рассмотрено влияние неоднородности на ширину и форму линии параметрического усиления. Результаты работы позволили сформулировать требования к параметру неоднородности нелинейных кристаллов для параметрических генераторов света. Экспериментально исследована зависимость средней мощности однорезонаторного параметрического генератора света от параметра неоднородности кристалла LiNbO3. Экспериментально результаты подтверждают теоретические выводы.
Поступила в редакцию: 01.07.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 6, Pages 747–751
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n06ABEH005166
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 78.20.Dj, 42.65.Cq


Образец цитирования: И. Я. Ицхоки, М. А. Кашинцев, Б. Г. Лысой, А. А. Соловьев, “Влияние продольной неоднородности показателя преломления нелинейного кристалла на коэффициент параметрического усиления”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1185–1193 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 747–751]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5166
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1185
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:60
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024