|
Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1180–1185
(Mi qe5163)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле
Y3Al5O12
А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Обнаружены стадии статической упорядоченной, статической неупорядоченной и миграционно-ограниченной релаксаций верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12. Различными способами определены значения микропараметров переноса энергии. Показано, что различия в величинах микропараметров взаимодействия, определяемые спецификой оптических спектров и схем кристаллического расщепления в разных кристаллах, а также различия в геометрии кристаллических решеток приводят к качественным изменениям в процессах безызлучательной релаксации энергии с верхнего лазерного уровня. Сопоставление полученных экспериментально результатов с результатами теории обнаружило их количественное согласие.
Поступила в редакцию: 30.06.1981
Образец цитирования:
А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле
Y3Al5O12”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1180–1185 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 744–747]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5163 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1180
|
|