Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 6, страницы 1180–1185 (Mi qe5163)  

Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12

А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Обнаружены стадии статической упорядоченной, статической неупорядоченной и миграционно-ограниченной релаксаций верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12. Различными способами определены значения микропараметров переноса энергии. Показано, что различия в величинах микропараметров взаимодействия, определяемые спецификой оптических спектров и схем кристаллического расщепления в разных кристаллах, а также различия в геометрии кристаллических решеток приводят к качественным изменениям в процессах безызлучательной релаксации энергии с верхнего лазерного уровня. Сопоставление полученных экспериментально результатов с результатами теории обнаружило их количественное согласие.
Поступила в редакцию: 30.06.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 6, Pages 744–747
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n06ABEH005163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 78.60.-b, 71.70.Ch, 61.70.-r, 61.50.-f


Образец цитирования: А. Г. Аванесов, Б. И. Денкер, В. В. Осико, С. С. Пирумов, В. П. Сакун, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y3Al5O12”, Квантовая электроника, 9:6 (1982), 1180–1185 [Sov J Quantum Electron, 12:6 (1982), 744–747]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5163
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i6/p1180
  • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024