|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 5, страницы 989–993
(Mi qe5102)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного CO2-лазера
В. И. Ковалев, М. А. Мусаев, Ф. С. Файзуллов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
В единых условиях измерены пороговые интенсивности пробоя на поверхности полупроводников
с разной шириной запрещенной зоны (Ge, Те, InAs, InSb). Определены константы нелинейного поглощения в InAs и InSb. Установлено, что, несмотря на значительную разницу в концентрации генерируемых свободных носителей и в наведенном поглощении при предпробойных интенсивностях падающего излучения, пороги возникновения пробоя на поверхности лежат в узком диапазоне интенсивностей (3–5)·107 Вт/см2. На основе полученных результатов сделан вывод о том, что эффект предпробойной генерации свободных носителей в поверхностном слое не играет определяющей роли в возникновении пробоя.
Поступила в редакцию: 29.06.1983
Образец цитирования:
В. И. Ковалев, М. А. Мусаев, Ф. С. Файзуллов, “Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного CO2-лазера”, Квантовая электроника, 11:5 (1984), 989–993 [Sov J Quantum Electron, 14:5 (1984), 668–671]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5102 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i5/p989
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 154 | PDF полного текста: | 66 | Первая страница: | 1 |
|