Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1973, номер 2(14), страницы 112–114 (Mi qe5091)  

Краткие сообщения

Влияние штарковской модуляции молекулярных колебаний на вынужденное комбинационное рассеяние

С. К. Потапов, Б. А. Медведев, М. А. Ковнер, И. Л. Клюкач
Аннотация: Выведены формулы для восприимчивостей ВКР для случая двухмодового падающего излучения. Штарковский сдвиг частоты молекулярных колебаний может осциллировать с частотой биений между модами. Эти осцилляции, в свою очередь, модулируют молекулярные колебания, так что в спектре рассеянного излучения появятся линии, отстоящие друг от друга на частоту биений. Показано, что с ростом интенсивности возбуждающего излучения происходит выравнивание коэффициентов усиления для все большего числа линий рассеянного излучения. При этом максимальный коэффициент усиления падает, что означает уменьшение эффективности ВКР. Таким образом происходит размножение компонент дискретной структуры рассеянного излучения в результате усиления шума спонтанного рассеяния. Показано, что образование дискретной структуры за счет параметрических процессов с учетом штарковской модуляции имеет существенные особенности: с ростом интенсивности возбуждающего света максимальным будет взаимодействие соседних компонент структуры, далеко отстоящих от центра несмещенной линии.
Поступила в редакцию: 30.05.1972
Исправленный вариант: 05.01.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, Volume 3, Issue 2, Pages 170–171
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1973v003n02ABEH005091
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375+621.375.826
PACS: 42.65.Dr, 42.65.An, 42.50.Hz, 42.60.Jf, 33.55.Be


Образец цитирования: С. К. Потапов, Б. А. Медведев, М. А. Ковнер, И. Л. Клюкач, “Влияние штарковской модуляции молекулярных колебаний на вынужденное комбинационное рассеяние”, Квантовая электроника, 2 (1973), 112–114 [Sov J Quantum Electron, 3:2 (1973), 170–171]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe5091
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1973/i2/p112
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024