Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе $n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком

Исследовались пороговые характеристики лазеров на основе Ga$_{1-x}$Al$_x$As $n$-типа проводимости с накачкой электронным пучком в широком диапазоне состава ($0,10\lesssim x\lesssim 0,30$) и степени легирования ($5\cdot10^{16}$ см $^{-3}\le n\le1\cdot10^{18}$ см $^{-3}$). Для объяснения характера зависимости пороговой плотности тока от состава и степени легирования рассмотрен процесс безызлучательной рекомбинации, связанный с глубокими донорными уровнями, энергия активации которых относительно $L$-минимума зоны проводимости $E_\alpha=150$ мэВ, сечение безызлучательной рекомбинации $\sigma=(1,8-2,0)10^{-17}$ см$^2$. Определены оптимальные значения степени легирования для различных составов.