Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 11, страницы 2310–2318 (Mi qe4970)  

Об устойчивости захвата двух мод

И. П. Коновалов

Государственный научно-исследовательский и проектный институт азотной промышленности и продуктов органического синтеза, Москва
Аннотация: Получены условия устойчивой генерации газового лазера в режиме самосинхронизации двух ортогонально поляризованных продольных мод. Установлен характер поляризации генерируемого поля в зависимости от моментов уровней лазерного перехода. Сделаны оценки предельно допустимой разницы добротностей захваченных мод.
Поступила в редакцию: 19.01.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 11, Pages 1501–1506
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n11ABEH004970
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.55.Bi, 42.55.Hq


Образец цитирования: И. П. Коновалов, “Об устойчивости захвата двух мод”, Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2310–2318 [Sov J Quantum Electron, 13:11 (1983), 1501–1506]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4970
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i11/p2310
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:106
    PDF полного текста:52
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024