О распределении плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах с накачкой электронным пучком

Методом Монте-Карло рассчитаны пространственное распределение плотности поглощенной энергии и размеры возбужденной области полупроводниковых лазеров на GaAs и CdS при возбуждении электронами с энергиями от 10 кэВ до 20 МэВ. Приводится приближенное аналитическое выражение, полученное на основании расчетов, удобное для проведения расчетов распределения плотности поглощенной энергии по глубине материала в широком диапазоне энергий электронов. Показано, что при малых диаметрах пучка электронов происходит существенное уменьшение максимального значения плотности поглощенной энергии электронов накачки. Это является одной из причин увеличения порога генерации по плотности тока накачки по мере уменьшения размера пучка электронов, использующихся для возбуждения.