|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 10, страницы 2109–2110
(Mi qe4932)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия
И. В. Василищева, В. М. Зубков, Р. М. Саввина, Г. Г. Скроцкая, Н. Ф. Стародубцев, О. Н. Таленский, B. Н. Полубояров, В. А. Труфан Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Кристаллы сульфида кадмия с нарушенным слоем толщиной около 5 мкм отжигались импульсами лазера на KrF* длительностью 10 нс. Найдено, что структура кристалла улучшается при облучении кадмиевой стороны. На серной стороне эффект не замечен. Пороговая плотность энергии ~0,25 Дж/см2.
Поступила в редакцию: 16.02.1983
Образец цитирования:
И. В. Василищева, В. М. Зубков, Р. М. Саввина, Г. Г. Скроцкая, Н. Ф. Стародубцев, О. Н. Таленский, B. Н. Полубояров, В. А. Труфан, “Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2109–2110 [Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1407–1408]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4932 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i10/p2109
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 137 | PDF полного текста: | 68 | Первая страница: | 1 |
|