Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 375–381 (Mi qe4857)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (GaAl) As-гетероструктуры

И. С. Голдобин, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано однопроходное усиление узкополосных оптических сигналов в полосковых безрезонаторных гетероструктурах при комнатной температуре. Зарегистрированы следующие оптико-физические характеристики лазерных усилителей (ЛУ) такого типа: максимальное усиление 26 дБ; выходное, отношение сигнал-фон до 7 дБ без использования спектральной селекции и до 24 дБ с выходным фильтром с полосой 0,1 нм; чувствительность порядка 100 нВт, мощность выходного сигнала до 20 мВт; диапазон линейного режима усиления более 20 дБ; быстродействие в линейном режиме лучше 1 нс. Экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с результатами расчета.
Поступила в редакцию: 16.03.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 2, Pages 255–259
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n02ABEH004857
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.8.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.79.Ci, 42.70.Hj


Образец цитирования: И. С. Голдобин, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, С. Д. Якубович, “Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (GaAl) As-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 11:2 (1984), 375–381 [Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 255–259]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4857
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i2/p375
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:59
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024