Особенности в спектре поглощения направляемых ТМ-мод металло-диэлектрических гетероструктур с узкозонными электронными возбуждениями в буферном слое

Теоретически исследован спектр поглощения направляемых ТМ-мод (НТММ) четырехслойной металло-диэлектрической плоской гетероструктуры с узкозонными электронными возбуждениями в буферном слое в случае, когда частота электронного перехода близка к частоте резонанса НТММ трехслойного диэлектрического волновода и поверхностного плазмона. Показана возможность появления двух типов особенностей в спектре поглощения НТММ четырехслойной гетероструктуры: провалов (антирезонансов) и сдвинутых линий. Обсуждаются возможные применения предсказанного эффекта в интегральной оптике.