|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 10, страницы 1963–1964
(Mi qe4844)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма в редакцию
На пути к фотоионной лазерной эпитаксии: исследование чистоты и условий зарождения кристаллических пленок индия
В. С. Летохов, В. И. Мишин, М. Л. Мучник, Ю. В. Орлов, Е. Я. Черняк Институт спектроскопии АН СССР, г. Троицк, Моск. обл.
Аннотация:
Исследованы различные конструкции и режимы работы систем экстракции ионов в методе селективной ступенчатой лазерной фотоионизации атомов. Проведено измерение фактора разделения веществ за один цикл. В случае специального внесения ряда примесей получен фактор разделения ≥103. При осаждении из ионного пучка In+ наблюдалось снижение температуры кристаллизации до 300 K.
Поступила в редакцию: 29.06.1983
Образец цитирования:
В. С. Летохов, В. И. Мишин, М. Л. Мучник, Ю. В. Орлов, Е. Я. Черняк, “На пути к фотоионной лазерной эпитаксии: исследование чистоты и условий зарождения кристаллических пленок индия”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 1963–1964 [Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1308–1309]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4844 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i10/p1963
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 132 | PDF полного текста: | 61 | Первая страница: | 1 |
|