Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 1, страницы 14–16 (Mi qe4775)  

Лазеры, активные среды лазеров

Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. Ленинград
Аннотация: Представлены результаты исследований оптических характеристик широких (a = 60 мкм) полосковых InGaAsP/InP (λ = 1,3 мкм) ДГС-лазеров, изготовленных методом жидкостной эпитаксии. Оптические свойства исследованных лазеров с раздельным ограничением (РО) и широкой полоской в диапазоне токов накачки (1–5) Ip обусловлены суперпозицией нулевой моды и нескольких поперечных мод с индексами 1–4, причем размеры области генерации для каждой из этих мод сравнимы с шириной полоска. Сравнение оптических характеристик РО-ДГС- и обычных ДГС-лазеров, изготовленных в сходных технологических условиях, показывает, что в случае РО-ДГС-лазеров наблюдается существенно более стабильное распределение ближнего поля в плоскости структур.
Поступила в редакцию: 26.10.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, Volume 20, Issue 1, Pages 9–11
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1990v020n01ABEH004775
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Pk


Образец цитирования: Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин, “Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 17:1 (1990), 14–16 [Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4775
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i1/p14
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024