|
Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 1, страницы 14–16
(Mi qe4775)
|
|
|
|
Лазеры, активные среды лазеров
Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением
Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, г. Ленинград
Аннотация:
Представлены результаты исследований оптических характеристик широких (a = 60 мкм) полосковых InGaAsP/InP (λ = 1,3 мкм) ДГС-лазеров, изготовленных методом жидкостной эпитаксии. Оптические свойства исследованных лазеров с раздельным ограничением (РО) и широкой полоской в диапазоне токов накачки (1–5) Ip обусловлены суперпозицией нулевой моды и нескольких поперечных мод с индексами 1–4, причем размеры области генерации для каждой из этих мод сравнимы с шириной полоска. Сравнение оптических характеристик РО-ДГС- и обычных ДГС-лазеров, изготовленных в сходных технологических условиях, показывает, что в случае РО-ДГС-лазеров наблюдается существенно более стабильное распределение ближнего поля в плоскости структур.
Поступила в редакцию: 26.10.1988
Образец цитирования:
Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин, “Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 17:1 (1990), 14–16 [Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4775 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i1/p14
|
|