Оптические и электрические свойства легированных полупроводников в сильном электромагнитном поле

Изучено влияние примесного рассеяния на поглощение слабой электромагнитной волны в полупроводниках с неравновесной электронной населенностью. На основе последовательного теоретического рассмотрения учтена роль непрямых переходов в усилении и поглощении слабого поля. Показано, что из-за непрямых переходов (без сохранения импульса) максимум усиления смещается в область меньших частот. Найдена форма линии поглощения слабого поля при наличии сильной электромагнитной волны с частотой в области собственного поглощения. Показано, что примесное рассеяние уменьшает область прозрачности и сглаживает особенности поглощения, связанные со щелью в энергетическом спектре, возникающей под действием сильной волны. Вычислена электропроводность полупроводника в состоянии насыщения. Показано, что при определенной интенсивности сильной волны электропроводность обращается в нуль, т. е. полупроводник переходит в диэлектрическую фазу.