|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 282–287
(Mi qe4692)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Параметры резонансов насыщенного поглощения молекулы 192OsO4 в области 28,46 ТГц при низком давлении
Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, В. П. Губин, Н. И. Старостин, В. В. Фомин Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация:
С помощью волноводного CO2-лазера высокого давления измерены ударное уширение Δνp0, интенсивность насыщения Iн и контраст резонансов насыщенного поглощения 192OsO4 в области 28,46 ТГц. Приведены значения указанных параметров в диапазоне давлений p = 0,5–10 мкм рт. ст. как для традиционного резонанса на переходе из возбужденного колебательно-вращательного состояния, так и для более интенсивного резонанса, соответствующего переходу A22P (46) из основного состояния. Параметры Δνp0 и Iн для обоих резонансов в изученной области давлений примерно одинаковы и при p < 1 мкм рт. ст. равны: Δνp0 (p) = (30 ± 5)p кГц, Iн(p) = (15 ± 3)pm мкВт/см 2, где 1 < m < 2. Минимальная относительная ширина резонансов при измерениях составила 5 · 10–10. Показано, что нелинейный характер зависимостей Δνr0(p) и Iн(p) согласуется с представлениями о селективном упругом рассеянии молекул на малые углы при соударениях. Дана оценка некоторых частотных характеристик CO2/OsO4-лазера при низком давлении паров OsO4 во внешней ячейке.
Поступила в редакцию: 23.03.1983
Образец цитирования:
Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, В. П. Губин, Н. И. Старостин, В. В. Фомин, “Параметры резонансов насыщенного поглощения молекулы 192OsO4 в области 28,46 ТГц при низком давлении”, Квантовая электроника, 11:2 (1984), 282–287 [Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 195–198]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4692 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i2/p282
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 94 | PDF полного текста: | 47 | Первая страница: | 1 |
|