Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 2, страницы 282–287 (Mi qe4692)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Параметры резонансов насыщенного поглощения молекулы 192OsO4 в области 28,46 ТГц при низком давлении

Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, В. П. Губин, Н. И. Старостин, В. В. Фомин

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация: С помощью волноводного CO2-лазера высокого давления измерены ударное уширение Δνp0, интенсивность насыщения Iн и контраст резонансов насыщенного поглощения 192OsO4 в области 28,46 ТГц. Приведены значения указанных параметров в диапазоне давлений p = 0,5–10 мкм рт. ст. как для традиционного резонанса на переходе из возбужденного колебательно-вращательного состояния, так и для более интенсивного резонанса, соответствующего переходу A22P (46) из основного состояния. Параметры Δνp0 и Iн для обоих резонансов в изученной области давлений примерно одинаковы и при p < 1 мкм рт. ст. равны: Δνp0 (p) = (30 ± 5)p кГц, Iн(p) = (15 ± 3)pm мкВт/см 2, где 1 < m < 2. Минимальная относительная ширина резонансов при измерениях составила 5 · 10–10. Показано, что нелинейный характер зависимостей Δνr0(p) и Iн(p) согласуется с представлениями о селективном упругом рассеянии молекул на малые углы при соударениях. Дана оценка некоторых частотных характеристик CO2/OsO4-лазера при низком давлении паров OsO4 во внешней ячейке.
Поступила в редакцию: 23.03.1983
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 2, Pages 195–198
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n02ABEH004692
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.50.Gy, 42.62.Eh, 42.55.Lt, 42.60.Lh, 42.60.Jf


Образец цитирования: Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, В. П. Губин, Н. И. Старостин, В. В. Фомин, “Параметры резонансов насыщенного поглощения молекулы 192OsO4 в области 28,46 ТГц при низком давлении”, Квантовая электроника, 11:2 (1984), 282–287 [Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 195–198]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4692
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i2/p282
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:47
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024