Направленная кристаллизация при лазерном отжиге пленок

Экспериментально исследована лазерная рекристаллизация полупроводниковых пленок на аморфных подложках. С помощью полупрозрачных масок на поверхности образца создавалось неоднородное распределение температуры определенной симметрии, которое стимулировало ориентированный рост. Этим методом удалось получить ориентированные пленки PbTe и Ge ориентации (100) и (111). Обсуждается возможный механизм образования ориентированных пленок на неориентирующих подложках.