Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 2, страницы 186–190 (Mi qe46)  

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Численное моделирование рассеяния сходящегося оптического пучка поверхностью с одномерной шероховатостью

А. П. Богатов, О. М. Никитина

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация: Численно смоделировано рассеяние сходящегося оптического пучка шероховатой поверхностью. Найдено распределение интенсивности рассеянного излучения в фокальной плоскости. Показано, что, измеряя интенсивность в пятне зеркального отражения излучения поверхностью, можно определить ее шероховатость.
Поступила в редакцию: 13.04.1993
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 2, Pages 174–178
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n02ABEH000046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.25.Fx, 78.66.-w


Образец цитирования: А. П. Богатов, О. М. Никитина, “Численное моделирование рассеяния сходящегося оптического пучка поверхностью с одномерной шероховатостью”, Квантовая электроника, 21:2 (1994), 186–190 [Quantum Electron., 24:2 (1994), 174–178]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe46
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i2/p186
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024