|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1696–1699
(Mi qe4589)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера
А. М. Правилов, И. И. Сидоров, В. А. Скороходов Научно-исследовательский институт физики при Ленинградском государственном университете им. А. А. Жданова
Аннотация:
Исследована люминесценция эксимера XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$,
образующегося в реакциях O $(^1D)+$ Xe $\rightleftarrows$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$,
O $(^1S)+$ Xe $+$ Xe $\to$ XeO $^*(d^1\Sigma^+)+$ Xe, XeO $^*(d^1\Sigma^+)\to$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)+h\nu$. Показано, что переход в последней реакции осуществляется на уровне
VeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, лежащие выше нижней из точек пересечения этих и
$X^3\Pi$, $A^3\Sigma$-состояний, вследствие чего молекулы XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$
быстро предиссоциирует.
Поступила в редакцию: 03.11.1982
Образец цитирования:
А. М. Правилов, И. И. Сидоров, В. А. Скороходов, “Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1696–1699 [Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1119–1121]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4589 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i8/p1696
|
|