Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1696–1699 (Mi qe4589)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера

А. М. Правилов, И. И. Сидоров, В. А. Скороходов

Научно-исследовательский институт физики при Ленинградском государственном университете им. А. А. Жданова
Аннотация: Исследована люминесценция эксимера XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, образующегося в реакциях O $(^1D)+$ Xe $\rightleftarrows$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, O $(^1S)+$ Xe $+$ Xe $\to$ XeO $^*(d^1\Sigma^+)+$ Xe, XeO $^*(d^1\Sigma^+)\to$ XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)+h\nu$. Показано, что переход в последней реакции осуществляется на уровне VeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$, лежащие выше нижней из точек пересечения этих и $X^3\Pi$, $A^3\Sigma$-состояний, вследствие чего молекулы XeO $(a^1\Sigma^+,b^1\Pi)$ быстро предиссоциирует.
Поступила в редакцию: 03.11.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 8, Pages 1119–1121
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n08ABEH004589
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Fn, 33.80.Gj
Образец цитирования: А. М. Правилов, И. И. Сидоров, В. А. Скороходов, “Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1696–1699 [Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1119–1121]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PraSidSko83}
\by А.~М.~Правилов, И.~И.~Сидоров, В.~А.~Скороходов
\paper Исследование механизма релаксации нижних лазерных уровней фотохимического ХеО-лазера
\jour Квантовая электроника
\yr 1983
\vol 10
\issue 8
\pages 1696--1699
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe4589}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1983
\vol 13
\issue 8
\pages 1119--1121
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1983v013n08ABEH004589}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1983RL19900036}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4589
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i8/p1696
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024