|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1560–1564
(Mi qe4563)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3
А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, А. А. Соболь, В. В. Соколов, И. А. Щербаков Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Проанализированы процессы заселения метастабильного состояния 4F3/2 в полупроводниковых материалах – кристалле
γ-La2S3:Nd3+ и стекле La2S3·2Ga2O3:Nd3+ – при нерезонансном стоксовом возбуждении. Показано, что скорость
безызлучательных переходов из верхних возбужденных состояний Nd3+ в метастабильное в стекле значительно выше, чем в кристалле. Отмечена большая эффективность возбуждения ионов Nd3+ при накачке в полосу собственного поглощения
в стекле по сравнению с кристаллом. Сделан вывод, что полупроводниковое
стекло состава La2S3·2Ga2O3:Nd3+ лишено отрицательных свойств, которые делают оптическую накачку кристалла малоэффективной.
Поступила в редакцию: 07.09.1982
Образец цитирования:
А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, А. А. Соболь, В. В. Соколов, И. А. Щербаков, “Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1560–1564 [Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1027–1029]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4563 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i8/p1560
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 158 | PDF полного текста: | 64 | Первая страница: | 1 |
|