Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1560–1564 (Mi qe4563)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3

А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, А. А. Соболь, В. В. Соколов, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Проанализированы процессы заселения метастабильного состояния 4F3/2 в полупроводниковых материалах – кристалле γ-La2S3:Nd3+ и стекле La2S3·2Ga2O3:Nd3+ – при нерезонансном стоксовом возбуждении. Показано, что скорость безызлучательных переходов из верхних возбужденных состояний Nd3+ в метастабильное в стекле значительно выше, чем в кристалле. Отмечена большая эффективность возбуждения ионов Nd3+ при накачке в полосу собственного поглощения в стекле по сравнению с кристаллом. Сделан вывод, что полупроводниковое стекло состава La2S3·2Ga2O3:Nd3+ лишено отрицательных свойств, которые делают оптическую накачку кристалла малоэффективной.
Поступила в редакцию: 07.09.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 8, Pages 1027–1029
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n08ABEH004563
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.8.038.825
PACS: 32.80.Bx, 42.50.+q


Образец цитирования: А. А. Камарзин, А. А. Мамедов, В. А. Смирнов, А. А. Соболь, В. В. Соколов, И. А. Щербаков, “Особенности заселения верхнего лазерного уровня неодима в полупроводниковых кристаллах γ-La2S3 и стеклах La2S3·2Ga2O3”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1560–1564 [Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1027–1029]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4563
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i8/p1560
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:158
    PDF полного текста:64
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024