Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 8, страницы 1542–1546 (Mi qe4560)  

Пространственно-временной модулятор света типа фотополупроводник – жидкий кристалл с текстурным и холестерико-нематическим переходами

Л. И. Басяева, Ф. Л. Владимиров, И. Е. Моричев, Е. А. Морозова, В. С. Мыльников, Н. И. Плетнева
Аннотация: Рассматриваются рабочие характеристики пространственно-временного модулятора света (ПВМС) типа фотополупроводник – жидкий кристалл с ориентационным текстурным и фазовым холестерико-нематическим переходами. В качестве фотополупроводника использованы халькогенидные пленки состава селен – мышьяк, в качестве жидкого кристалла – композиции на основе цианбифенилов, азоксисоединений, сложных эфиров и толанов. ПВМС позволяет реализовать реверсивную запись, долговременную память, получать позитивное и негативное изображения, не требует поляризационной оптики и предварительной ориентации жидкого кристалла. Предельная чувствительность 1 мкВт/см2, разрешение не хуже 65 пар линий/мм, минимальное время цикла запись – стирание 0,75 с.
Поступила в редакцию: 10.08.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 8, Pages 1015–1017
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n08ABEH004560
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.396:535.8:532.783.087
PACS: 42.80.Ks, 85.60.Me


Образец цитирования: Л. И. Басяева, Ф. Л. Владимиров, И. Е. Моричев, Е. А. Морозова, В. С. Мыльников, Н. И. Плетнева, “Пространственно-временной модулятор света типа фотополупроводник – жидкий кристалл с текстурным и холестерико-нематическим переходами”, Квантовая электроника, 10:8 (1983), 1542–1546 [Sov J Quantum Electron, 13:8 (1983), 1015–1017]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4560
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i8/p1542
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025