Исследование самоиндуцированной дифракционной решетки в кристаллах CdS при непрерывном лазерном возбуждении

В пластинках полупроводникового монокристалла CdS в области прозрачности при Т=293 и 77 К получена и исследована самодифракция непрерывного лазерного излучения. Определены параметры созданной светом дифракционной решетки. Установлено, что период такой решетки определяется углом клина кристалла и что ее образование существенно меняет оптические свойства.