|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 8, страницы 756–758
(Mi qe454)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Письма в редакцию
Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K
Н. Г. Басовa, Е. М. Диановb, В. И. Козловскийa, А. Б. Крысаa, А. С. Насибовa, Ю. М. Поповa, A. М. Прохоровc, П. А. Трубенкоb, Е. А. Щербаковb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Институт общей физики РАН, г. Москва
Аннотация:
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлена сверхрешетка с напряженными слоями ZnCdSe/ZnSe, использованная в качестве активного слоя в экране лазерной электронно-лучевой трубки. При комнатной температуре получена мощность в 1.6 Вт в одной продольной моде на длине волны 484 нм и улучшены ранее известные результаты при энергии электронов ниже 50 кэВ.
Поступила в редакцию: 18.05.1995
Образец цитирования:
Н. Г. Басов, Е. М. Дианов, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, A. М. Прохоров, П. А. Трубенко, Е. А. Щербаков, “Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K”, Квантовая электроника, 22:8 (1995), 756–758 [Quantum Electron., 25:8 (1995), 726–728]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe454 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i8/p756
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 296 | PDF полного текста: | 139 |
|