Роль ступенчатых ударов второго рода в механизме накачки гелий-стронциевого рекомбинационного лазера

Исследована роль ступенчатой перезарядки (СПЗ) и ступенчатого пеннинг-процесса (СПП) в накачке уровней ионного Не–Sr-лазера (λ = 430,5 нм). На основе проведенных измерений кинетики населенностей метастабильных состояний стронция и гелия, экспериментов по электрическому и оптическому заселению (расселению) этих состояний, а также на основе математического моделирования Не–Sr-лазера сделан вывод о незначительной роли СПЗ и преобладании рекомбинационной накачки. СПП может дать заметный вклад (до 30 %) в создание двукратных ионов стронция, рекомбинирующих в позднем послесвечении.