Наведенное электронным пучком поглощение излучения ArF-, KrF- и XeF-лазеров в оптических материалах

Измерение поглощения лазерного излучения на длинах волн 193, 248 и 353 нм в оптических материалах в момент воздействия на них электронного пучка показало, что зависимость оптической плотности материала от плотности мощности электронного пучка является линейной. Коэффициент пропорциональности между данными величинами κ есть параметр материала, определяемый свойствами короткоживущих центров окраски. Измерено κ в кристаллах MgF₂, CaF₂, BaF₂, Al₂O₃ и в кварцевых стеклах. В MgF₂ на λ = 193, 248 и 353 нм параметр κ = 29 ± 6, 150 ± 20 и 14 ± 6 см²/ГВт, в CaF₂ и BaF₂ κ ≈ 100 см²/ГВт. В Al₂O₃ на λ = 193 и 248 нм наблюдалось усиление – здесь κ были отрицательными и составляли –2.0 и –0.5 см²/ГВт.