Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1972, номер 4(10), страницы 25–31 (Mi qe4452)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

О механизме разрушения поверхности прозрачного диэлектрика при облучении коротким световым импульсом

И. А. Ферсман, Л. Д. Хазов
Аннотация: Сообщается ряд новых экспериментальных данных о лазерном разрушении поверхностей прозрачных диэлектриков. Показано, что при облучении мощным световым импульсом длительностью 10–8–10–7 сек с поверхности эмиттируются в основном положительные ионы. Приведены зависимости тока фотоэмиссии от интенсивности потока для сапфира и стекла К8 с различной обработкой поверхности. Показаны независимость порога возникновения искры от начальной температуры поверхности и немонотонная зависимость его от длины волны падающего света. Обнаружена значительная анизотропия световой прочности поверхности тщательно полированного кальцита. Показана слабая зависимость порога искры на поверхностях стекол от химического состава последних, за исключением флинтов. Показано, что перечисленные выше и некоторые ранее обнаруженные явления удовлетворительно объясняются генерацией свободных электронов в поверхностном слое диэлектрика под влиянием сильного светового поля и нагреванием этого слоя вследствие его «металлизации» до плавления, испарения и образования плазмы над облучаемым участком («электронно-тепловая» гипотеза).
Поступила в редакцию: 30.08.1971
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1973, Volume 2, Issue 4, Pages 319–323
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1973v002n04ABEH004452
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.32:539.2
PACS: 61.80.Ba, 77.84.-s


Образец цитирования: И. А. Ферсман, Л. Д. Хазов, “О механизме разрушения поверхности прозрачного диэлектрика при облучении коротким световым импульсом”, Квантовая электроника, 4 (1972), 25–31 [Sov J Quantum Electron, 2:4 (1973), 319–323]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4452
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1972/i4/p25
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:122
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024