|
|
Квантовая электроника, 1972, номер 2(8), страницы 77–83
(Mi qe4403)
|
 |
|
 |
Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
Аннотация:
Вычислен коэффициент усиления света для межзонных переходов в полупроводнике в условиях сильного легирования. Получены аналитические выражения для квазиуровней Ферми электронов и дырок, применимые в широком интервале температур и концентраций примесей. Обсуждаются качественные особенности полученных результатов. Приведены примеры вычисления лазерных пороговых характеристик для рассматриваемого
типа оптических переходов.
Поступила в редакцию: 26.04.1971
Образец цитирования:
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках”, Квантовая электроника, 2 (1972), 77–83 [Sov J Quantum Electron, 2:2 (1972), 150–154]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4403 https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1972/i2/p77
|
|
Обратная связь: