|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1286–1288
(Mi qe4332)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме
В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Зарегистрирована инверсная населенность уровней n = 5,4,3 Н-подобного иона FIX в рекомбинирующей лазерной плазме. Расчетные коэффициенты усиления составляют 10–2–10–1 см–1 и согласуются с оценками на основе измерений абсолютных интенсивностей спектральных линий. Исследуется геометрия разлета плазменного факела.
Поступила в редакцию: 19.07.1982
Образец цитирования:
В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко, “Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1286–1288 [Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 833–835]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4332 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i6/p1286
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 125 | PDF полного текста: | 89 | Первая страница: | 1 |
|