Нелинейное поглощение кристалла Gd2SiO5:Cr4+ при пикосекундном возбуждении

Для кристалла Gd₂SiO₅:Cr⁴⁺ исследованы оптическое поглощение, температурные зависимости интенсивности и времени затухания люминесценции, а также спектры нестационарного поглощения, измеренные методом пикосекундного возбуждения-зондирования. На основе анализа полученных данных сделан вывод о том, что наблюдаемое в области 600–650 нм наведенное поглощение обусловлено переходами из возбужденного состояния ³T₂(³F) → ³T₁(³P). Время жизни уровней ³T₂(³F) и ³T₁(³F) оценивается соответственно как 15 нс и 12 пс. Найденное сечение поглощения из первого возбужденного состояния на длине волны 616 нм составляет (1.1 ± 0.6)·10^-18 см², а из основного состояния на λ = 540 нм – (2.2 ± 1.1)·10^-18 см².