Запись статической голограммы разночастотными пучками в Bi12SiO20 с помощью полупроводникового лазера

Экспериментально получена запись статической голограммы разночастотными пучками (Ω = ω₁ – ω₂ = 2π X 50 Гц) в переменном внешнем поле E₀ cos(Ωt) в кристалле Bi₁₂SiO₂₀ на длинах волны λ = 0,79 мкм, (полупроводниковый лазер) и λ = 0,63 мкм (He–Ne-лазер). Зависимости дифракционной эффективности от пространственной частоты η (q) для двух длин волн различаются таким образом, что η (0,79 мкм) < η (0,63 мкм) при q < 4·10³ см^–1, и практически совпадают при q > 4·10³ см^–1.