|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1063–1065
(Mi qe4265)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком
Ф. В. Бункин, В. М. Быстрицкий, В. И. Держиев, А. Н. Диденко, В. В. Коробкин, Я. Е. Карасик, Г. Ю. Петрущенко, С. С. Сулакшин, С. И. Яковленко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
При накачке плотного (p = 0,5–2,5 атм) гелия протонным пучком (j = 2–12 A/см2) впервые наблюдалось стимулированное излучение на переходах 4–3 (λ = 468,5 нм) и 5–3 (λ = 320 нм) водородоподобного иона He II. Усиление имеет место в квазистационарной переохлажденной плазме за счет рекомбинационной накачки верхних рабочих уровней.
Поступила в редакцию: 12.07.1982
Образец цитирования:
Ф. В. Бункин, В. М. Быстрицкий, В. И. Держиев, А. Н. Диденко, В. В. Коробкин, Я. Е. Карасик, Г. Ю. Петрущенко, С. С. Сулакшин, С. И. Яковленко, “Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1063–1065 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 679–681]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4265 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1063
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 116 | PDF полного текста: | 61 | Первая страница: | 1 |
|