Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1043–1045 (Mi qe4256)  
Краткие сообщения

О влиянии инертных газов на лазерохимические реакции. II. Эксперименты

В. Н. Сазонов, Г. В. Шмерлинг

Физический институт им. П. Н. Лебедева, АН СССР, Москва
PDF полного текста (610 kB)
Аннотация: Обнаружено, что добавка Не уменьшает, а добавка Хе увеличивает выход реакции BCl3+H2+hν=BHCl2+HCl. Согласно теоретическим представлениям, такая зависимость выхода от состава добавок указывает на лазерохимический характер изучаемой реакции.
Поступила в редакцию: 22.06.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 5, Pages 662–664
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n05ABEH004256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:541.14
PACS: 82.50.-m, 42.60.-v


Образец цитирования: В. Н. Сазонов, Г. В. Шмерлинг, “О влиянии инертных газов на лазерохимические реакции. II. Эксперименты”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1043–1045 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 662–664]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4256
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1043
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:74
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024