Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 1033–1036 (Mi qe4252)  

Краткие сообщения

Нестационарный режим в двухпроходовом усилителе

А. А. Бабин, А. В. Каров, Г. И. Фрейдман

Институт прикладной физики АН СССР, Горький
Аннотация: Рассмотрен нестационарный режим усиления последовательности коротких импульсов в условиях отсутствия интерференции. Получены рекуррентные формулы, позволяющие рассчитать нестационарный коэффициент усиления двухпроходового усилителя. Проанализированы возможности управления формой огибающей на выходе усилителя.
Поступила в редакцию: 15.06.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 5, Pages 654–656
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n05ABEH004252
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.8
PACS: 42.80.Sa


Образец цитирования: А. А. Бабин, А. В. Каров, Г. И. Фрейдман, “Нестационарный режим в двухпроходовом усилителе”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1033–1036 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 654–656]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4252
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1033
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:270
    PDF полного текста:70
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024