Влияние внешней обратной связи на перестройку частоты полупроводникового лазера

Исследована перестройка частоты излучения полупроводникового лазера, согласованного с внешним резонатором с помощью микролинзы из халькогенидного стекла. Показано, что при разогреве активной области в течение импульса тока направление перескока частоты по модам собственного резонатора лазера определяется взаимным расположением мод собственного и внешнего резонаторов и зависит периодически от длины внешнего резонатора с периодом, кратным оптической длине активной части лазера.