Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 5, страницы 961–966 (Mi qe4234)  

О внутренних потерях фотодиссоционного йодного лазера с импульсной ламповой накачкой

О. Б. Данилов, А. П. Жевлаков, В. В. Любимов
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы внутренние потери в фотодиссоционном йодном лазере с импульсной ламповой накачкой. Показано, что потери, вызванные наведенной оптической неоднородностью в среде, носят локальный характер. Измерена зависимость коэффициента внутренних потерь kп от поперечной координаты лазерной камеры. Оценка для режима генерации в условиях «волны пиролиза» дала kп ≤ (1–2)·10–4 см–1.
Поступила в редакцию: 19.05.1982
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 5, Pages 604–607
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n05ABEH004234
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.8
PACS: 42.55.Hq, 42.60.He


Образец цитирования: О. Б. Данилов, А. П. Жевлаков, В. В. Любимов, “О внутренних потерях фотодиссоционного йодного лазера с импульсной ламповой накачкой”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 961–966 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 604–607]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4234
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p961
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024