|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 598–602
(Mi qe4160)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера из GaAlAs
И. С. Голдобин, Л. А. Ривлин, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, Ю. А. Тамбиев, С. Д. Якубович Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Представлены экспериментальные данные о линии усиления инжекционного гетеролазера и дано их удовлетворительнее обобщение в виде выражений, аналогичных тем, которые следуют из обычной модели сильно легированного арсенида галлия с переходами между «хвостом» состояний у дна зоны проводимости и локальным уровнем без соблюдения правил отбора по квазиимпульсу.
Поступила в редакцию: 17.02.1982
Образец цитирования:
И. С. Голдобин, Л. А. Ривлин, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, В. П. Табунов, Ю. А. Тамбиев, С. Д. Якубович, “Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера из GaAlAs”, Квантовая электроника, 10:3 (1983), 598–602 [Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 354–357]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4160 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i3/p598
|
|